面对业界称作"RAMageddon"的全球内存大荒，韩国两大存储芯片巨头 Samsung Electronics 与 SK Hynix 周日联合公告，将在 2027 年至 2030 年期间累计投入超过 5500 亿美元资本支出，新建与扩建多座 HBM、DDR5、NAND 工厂。两家公司同步获得韩国产业通商资源部牵线下的政策性融资支持。市场普遍认为，新增产能在 2027 年下半年逐步释放后，北美 DIY 装机、AI 服务器与云计算成本压力将出现实质性缓解。
扩产规模
Samsung 占据其中约 3200 亿美元，将在京畿道平泽 P4、P5 厂区与德州 Taylor 厂区扩建 HBM4 与 1c nm DDR5 产线。SK Hynix 投入约 2350 亿美元，主力放在 Cheongju M15X、利川 M16 与美国 Indiana West Lafayette 新厂。Samsung 会长 Lee Jae-yong 在京畿道厂区动土仪式上表示，公司决心"用产能换市场份额"，把 AI 时代核心内存定义权牢牢握在韩国手中。SK Hynix CEO Kwak Noh-jung 则强调，与 NVIDIA、AMD、Broadcom 的多年长约已经签到 2029 年。
短缺根源
本轮短缺始于 2025 年初，AI 训练对 HBM 的需求超出预期，Samsung、SK Hynix 与 Micron 三家把大量晶圆产能转向 HBM3E 与 HBM4，挤压了普通 DDR5、LPDDR5X 的供给。到 2025 年底，北美 DRAM 现货价同比涨幅一度超过 130%，DDR5 32GB×2 套装零售价从 130 美元飙升至 260 美元以上，部分高频条溢价超 80%。NAND 也受到产能转移影响，企业级 SSD 交期普遍延长至 30 至 40 周。
HBM 战局
HBM 是 AI 加速器的核心配套，目前 SK Hynix 在 HBM3E 上市场份额约 51%，Samsung 约 33%，Micron 约 16%。HBM4 进度方面，SK Hynix 已于 4 月对 NVIDIA Rubin 平台完成 12-Hi 样品交付，Samsung 计划 7 月起对 AMD MI400 系列供货。两家此次扩产重点都在 HBM4 与 HBM4E，并把堆叠层数推至 16-Hi。Micron 在美国 Boise、Syracuse 厂的进度仍滞后约 9 个月，意味着未来三年韩国双雄继续主导 HBM 供给。
北美影响
对北美装机市场，分析机构 TrendForce 预测，DDR5 平均售价在 2027 年第二季度起将逐季回落，2028 年初有望回到 2024 年水平的 1.4 倍左右。AI 数据中心方面，AWS、Microsoft Azure、Google Cloud 已在内部备忘录中调整 2027 至 2028 财年 H100/H200/B200 实例定价模型，预计 GPU 实例月费下行空间在 10% 至 18%。北美 DIY 装机社区 r/buildapc 上不少用户表示，将延后高频内存升级至 2027 年中。
华人玩家提醒
对华人 DIY 装机与小型 AI 创业团队，短期内（2026 全年）DDR5 价格仍将高位震荡，建议按需购买、避免囤货。中长期来看，2027 年下半年是观察价格回落的关键节点，可优先在 Memorial Day、Prime Day、Black Friday 与 Boxing Day 等促销期建仓。对依赖云端 GPU 训练大模型的中文创业团队，AWS Trainium2、Google TPU v7 等替代算力今年起折扣力度明显，可结合 HBM 价格走向重新评估自研推理硬件还是租用云端。